三星128层3d nand研发(三星智能手机产能回流)

品玩5月26日讯，据 The Elec 报道，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2结构DRAM。

据悉，三星的目标是将4F2应用于10纳米以下的DRAM制程，以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。

根据此前 TrendForce 发布的报告，全球DRAM芯片需求预计早将在7月份超过供应，这一变化将减轻因芯片低迷而陷入困境的半导体公司的压力。

以上就是【三星128层3d nand研发(三星智能手机产能回流)】的相关内容，查看其它热门资讯请持续关注DDX指标网